ZnO是一种典型的、重要的Ⅱ~Ⅵ族直接带隙宽禁带半导体材料，是第三代半导体材料[1-2].室温下，ZnO的禁带宽度与GaN相近，为3.37eV,ZnO具有较高的激子束缚能，比目前研究较热的几种宽禁带

1前言随着超精密加工技术的发展，微机械、微机电系统得到了广泛的应用，尤其在航天航空、生物、医疗等领域具有广阔的应用前景[1].因此，对微构件零件的需求越来越多。然而由于微

1引言纳米材料由于量子尺寸效应和表面效应而具有不同于体材料和单个分子的固有特性，显示出本体所不具备的电学、磁学、光学及催化性质等性能[1].二氧化锰作为一种两性过渡金属氧

0引言氧化锡（SnO2）是一种十分重要的n型宽带隙（3.6eV）半导体无机材料，在染料敏化太阳能电池、新型气敏材料、光致发光材料、光催化材料、红外反射玻璃、抗静电涂层材料、透明电

引言六方氮化硼是由B原子和N原子相互间隔排列成的六元环层状结构，每层结构稳定，但层与层之间易于剥离，这种结构特点与石墨高度相似，六方氮化硼因此常被称为白色石墨。由于六

碳是自然界分布广泛的元素，具有多种存在形式，如金刚石、石墨、无定形碳、碳纳米管和富勒烯等。尽管这些形态的碳性能存在很大差异，但究其根源是由于碳可形成多种稳定的杂化